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IXKP 10N60C5M
CoolMOS ? 1) Power MOSFET
Fully isolated package
N-Channel Enhancement Mode
Low R DSon , High V DSS MOSFET
I D25 = 5.4 A
V DSS = 600 V
R DS(on) max = 0.385 Ω
Ultra low gate charge
Preliminary data
MOSFET
G
S
D
TO-220 ABFP
G
D
S
Features
Symbol
V DSS
Conditions
T VJ = 25°C
Maximum Ratings
600 V
? Fast CoolMOS ? 1) power MOSFET 4 th
generation
- High blocking capability
V GS
± 20
V
- Lowest resistance
I D25
I D90
T C = 25°C
T C = 90°C
5.4
3.7
A
A
- Avalanche rated for unclamped
inductive switching (UIS)
? Fully isolated package
E AS
E AR
single pulse
repetitive
I D = 3.4 A; T C = 25°C
225
0.3
mJ
mJ
Applications
dV/dt
MOSFET dV/dt ruggedness V DS = 0...480 V
50
V/ns
? Switched mode power supplies (SMPS)
? Uninterruptible power supplies (UPS)
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T VJ = 25 ° C, unless otherwise speci?ed)
? Power factor correction (PFC)
? Welding
? Inductive heating
min.
typ.
max.
? PDP and LCD adapter
R DSon
V GS = 10 V; I D = 5.2 A
350
385
m Ω
1)
CoolMOS ? is a trademark of
V GS(th)
I DSS
V DS = V GS ; I D = 0.34 mA
V DS = 600 V; V GS = 0 V
T VJ = 25°C
2.5
3
3.5
1
V
μA
In?neon Technologies AG.
T VJ = 125°C
10
μA
I GSS
C iss
C oss
V GS = ± 20 V; V DS = 0 V
V GS = 0 V; V DS = 100 V
f = 1 MHz
790
38
100
nA
pF
pF
Q g
17
22
nC
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
R thJC
V GS = 0 to 10 V; V DS = 400 V; I D = 5.2 A
V GS = 10 V; V DS = 400 V
I D = 5.2 A; R G = 3.3 Ω
4
6
10
5
40
5
3.95
nC
nC
ns
ns
ns
ns
K/W
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2009 IXYS All rights reserved
20090209d
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